台北2019年10月16日 /美通社/ -- 專注於「工業應用」儲存解決方案的領導廠商ATP Electronics (華騰國際科技)發表專為工業及車載應用端設計首款3D 三層儲存單元 (triple-level cell, TLC) A1 效能等級SD及microSD快閃記憶卡。

ATP Electronics 採用64層堆疊3D快閃儲存技術，優於現在主流資料存載記憶體產品，適合車規及工業市場未來應用端需求，及五年穩定原物料供應。3D快閃記憶體垂直堆疊技術，降低2D平面製程技術而造成可靠度上的疑慮。

ATP 3D TLC 記憶卡不只依循2D快閃記憶體嚴格的可靠度測試規範亦符合車載及工業應用端客製化效能
車規等級可靠度、效能及耐久度— ATP 3D TLC 記憶卡S600Sia 經歷從原物料晶片到成品階段嚴格之耐久度、資料保存及寬溫測試。具備ISO、 JEDEC、 特殊車規及溫度規範，如AEC-Q100/AECQ-104。根據專案及客製化需求，採用符規標準測試及生產，如ISO 16750。

跨溫度狀況下之ATP 高低溫動態自動校正機制— 除了支援寬溫範圍-40°C 到 85°C，為了強化產品耐久性，ATP S600Sia SD/microSD 記憶卡需經歷寬溫測試及過程中需通過溫度相關參數與機制之測試流程。動態自動修復校正(Dynamic Self-Recovery Calibration) 使SD/microSD記憶卡從韌體、硬體皆可適應各種環境溫度之資料儲存任務。
關於更多3D 快閃記憶體高低溫度測試驗證方式，請參考: http://bit.ly/2HugvkE

ATP滿足客戶對大數據資料儲存的客製化需求
隨著物聯網(Internet of Things, IoT)及車聯網(Internet of Vehicles, IoV)所產生的大數據資料量急速增加，不論智慧工廠或自動駕駛車輛的儲存需求，資料處理的效能已成為關鍵性要素。有效的資料傳輸與即時資料分析需要終端設備具備快速且穩定的效能。ATP 3D TLC SD/micro 記憶卡以4KB Page (Page, 讀取和寫入的最小單位)資料處理速度與SLC 快取(Cache)演算法，相較於傳統記憶體儲存設備，提升二分之一隨機存取時間與縮短儲存資料的等待時間。ATP 3D TLC SD/microSD 記憶卡達Android A1 應用端標準，耗電量低，為具有較短電池容量等小型手持裝置的最佳儲存設備。

ATP S600Sia SD/micro 記憶卡提供最高達256GB容量，每GB價格大幅下降。符合日益增加的資料儲存需求、可攜裝置備援可便性、邊緣運算(Edge computing)及事件資料紀錄(如行車紀錄器)及連線或離線圖資導航資訊等儲存需求。

依照客戶端不同需求，ATP提供硬體客製化服務，如閃存記憶體與控制器測試接口與過電流保護(Overcurrent Protection, OCP) 設計，保護儲存裝置避免電流負載過剩或短路。